來源：意法半導體博客

PIC100 是意法半導體的首個硅光子技術，是在300 毫米晶片上制造的以高能效為亮點的PIC（光子集成電路），每通道數據速率達到200Gbps，未來甚至有望實現更高的帶寬。事實上，此次發布意義重大，因為它開啟了一系列光子集成電路的先河， ST還計劃推出更多的后續技術，助力數據中心、人工智能服務器集群和其他光纖網絡設備提升能效。目前，許多可插拔光收發器都在使用ST的 BiCMOS B55 芯片，因此ST對市場有一定的了解。利用意法半導體的能效更高的 PIC制造技術和下一代55 納米硅鍺芯片B55X，可插拔光收發器廠商將會在市場上樹立新的能效和性能標桿，這對于推廣普及傳輸速度更快的通信標準至關重要。

PIC100: 性能與能效的平衡

散熱難題

凡是接觸過光纖通信的人都知道，可插拔光模塊在短時間之內溫度升高。根據 Effect Photonics的數據，雖然可插拔模塊的功耗從2010 年開始穩步下降，但從 2022 年開始呈現上升趨勢。隨著通信帶寬大幅提升，其溫度變得更加難以控制。問題是，服務器處理人工智能和其他數據密集型應用需要更大的數據吞吐量，而高溫會導致嚴重的問題，例如性能下降和可靠性降低等。此外，數據中心致力于提高可持續性和能效，而光模塊的發展趨勢卻與這些目標背道而馳；因為光模塊的熱耗散現象更加嚴重，而對傳輸速率的要求越來越高。

PIC100解決方案降低損耗

PIC100 提高可插拔光模塊的能效

為了提高能效，PIC100 采用了0.4dB/cm損耗的硅波導設計和0.5 dB/cm損耗的氮化硅波導，目前這兩項指標都處于業內領先水平。此外，PIC100 還配備了帶寬 50 GHz 的馬赫-曾德爾光調制器 (MZM) 和高達 80 GHz 的高速光電探測器。簡而言之，PIC100 的獨特之處在于所有這些先進器件都在 300 毫米晶片上采用晶圓堆疊技術制造。

能效是我們采用邊緣耦合器的原因之一。很多廠家傾向于使用光柵耦合器，因為它可以節省測試和初始對準工序成本。例如，光柵耦合器支持晶圓級測試，并且安裝更加靈活。然而，光柵耦合器的散射率高，耦合器與光纖的匹配度低，這些缺點導致損耗更大。通過采用邊緣耦合器，我們可以提高光纖模式與片上SiN波導的匹配度，從而實現損耗低于1.5 dB的高能效耦合，能效遠高于光柵耦合器。

意法半導體的300 mm晶圓廠

晶圓圖示

此外，PIC100 不僅擁有同類中一流的性能和能效，而且還在意法半導體法國克羅爾 (Croll) 300 毫米晶圓廠生產，在更大的晶片上制造芯片讓這項技術有更好的成本效益，為更多的客戶所用。由于意法半導體是一家 垂直整合芯片制造商，擁有自營生產線和光刻技術專長，全盤掌握供應鏈，有能力大規模生產先進的PIC產品，這也是推出 PIC100 的另一個原因。隨著數據中心對光子集成器件的依賴度越來越高，意法半導體在光子集成技術領域擁有獨天得厚的優勢，能夠提供高能效的器件、產能和高性價比的解決方案。

意法半導體的 PIC：硅光技術在數據中心市場上的發展前景

一條通向1.6Tb/s 收發器的升級捷徑

意法半導體的客戶已經在研發 800Gb/s 和 1.6Tb/s 的可插拔光纖模塊，此時發布PIC100可謂意義重大。同時，ST計劃從 2025 年下半年開始備產，提升產能。因此，此次發布標志著一個新時代的開始，設備制造商已經開始利用意法半導體的 PIC 技術開發每通道 200Gbps 的可插拔光纖收發器。QSFP56光纖模塊遭遇缺芯問題，我們的新器件有助于緩解缺貨問題，并為接口從100G到 400G的升級提供一個中間過渡階段，幫助數據中心逐步升級改造基礎設施。因此，AWS 正在與意法半導體和領先的光模塊供應商合作，使用 PIC100技術為其數據中心開發光纖模塊。

每通道400Gbps和 GPU光纖連接路線圖

雖然目前尚未公布新產品的發布日期，但是，意法半導體承諾研發每通道400Gbps的 PIC產品，與現代數據中心同步發展。隨著人工智能訓練所用的信息量日益提高，GPU數據處理的大規模并行化趨勢需要連續穩定的海量數據流，開發速度更快、能效更高的光收發器成為重中之重。因此，可插拔模塊制造商可以放心地繼續購買意法半導體的PIC器件，繼續使用其芯片設計未來幾代產品。

此外，為了進一步提高能效，意法半導體即將推出BiCMOS B55X。新一代產品取代現有的BiCMOS B55，采用硅鍺材料和 55 nm工藝制造，進一步提升了能效。與使用 PIC100 和其他品牌的 BiCMOS 的光收發器系統相比，基于 PIC100 和 B55X的解決方案可以提升能效約15%。意法半導體還在開發硅通孔 (TSV) 連接技術和小型光調制器，以便開發者能夠使用我們的 PIC芯片設計GPU光纖輸入輸出，利用芯粒封裝技術實現高速通信應用。