東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。

三款新產品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比，可將器件體積銳減80%以上，并提升設備功率密度。

此外，TOLL封裝還具有比通孔封裝更小的寄生阻抗[2]，從而降低開關損耗。作為一款4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接。這減少封裝內部源極線電感的影響，實現高速開關性能；在TW048U65C的外殼中，與東芝現有產品[5]相比，其開通損耗降低約55%，關斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設備功耗。

未來東芝將繼續擴大其SiC功率器件產品線，為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。

第3代SiC MOSFET封裝產品線

測量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω

續流二極管采用各產品源極及漏極間的二極管。（東芝截至2025年8月的比較）

圖1：TO-247與TOLL封裝的導通損耗（Eon）和關斷損耗（Eoff）比較

應用：

-服務器、數據中心、通信設備等中的開關電源

-電動汽車充電站

-光伏逆變器

-不間斷電源

特性：

-表面貼裝TOLL封裝，實現設備小型化和自動化組裝，低開關損耗

-東芝第3代SiC MOSFET

-通過優化漂移電阻與溝道電阻比，實現漏源導通電阻的良好溫度依賴性

-低漏源導通電阻×柵漏電荷

-低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

主要規格：

注：

[1] 截至2025年8月。

[2] 電阻、電感等。

[3] 一種信號源終端靠近FET芯片連接的產品。

[4] 截至2025年8月，東芝測量的值。請參考圖1。

[5] 采用TO-247封裝且無開爾文連接的、具有同等電壓和導通電阻的第3代650V SiC MOSFET

如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址：

TW027U65C

//toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW027U65C.htm 

TW048U65C

//toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW048U65C.html

TW083U65C

//toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW083U65C.htm 

如需了解相關東芝SiC功率器件的更多信息，請訪問以下網址：

SiC功率器件

//toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/power-semiconductors.html

如需了解相關新產品在線分銷商網站的供貨情況，請訪問以下網址：

TW027U65C

//toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW027U65C.html

TW048U65C

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TW083U65C

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*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

*本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。 

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