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請教功率MOS和IGBT的使用頻率如果計算

請問各位大俠: 如何能通過產品數據提供的參數比較接近的算出功率MOS管和IGBT的使用頻率。使用在硬開關和LLC及準諧振拓撲都怎么算?比如給定的使用環境為:環境溫度40度,適當的風冷散熱器(計算合理的開關頻率讓散熱器大致控制在75度左右)。用產品參數每次的開關損耗去對應產品的最大損耗計算得出的理論開關頻率和實際能用的開關頻率好像相差太大,請各位以下面提供的產品參數為例不吝賜教!

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2016-01-17 12:45

算IGBT損耗要算開通損耗,關斷損耗,導通損耗。

如果是LLC拓撲的話,可以乘以對應的系數。

其中開通和關斷損耗還有借助驅動電阻的特性曲線來確認Eon,和Eoff。

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jsapin
LV.5
3
2016-01-17 16:40
@417zhouge
算IGBT損耗要算開通損耗,關斷損耗,導通損耗。如果是LLC拓撲的話,可以乘以對應的系數。其中開通和關斷損耗還有借助驅動電阻的特性曲線來確認Eon,和Eoff。
大師能否給出具體算法?比如上面提供的參數能算出比較接近(比如工作在LLC 或者是準諧振   硬開關)的最大工作頻率嗎?
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2016-01-18 08:29
@jsapin
大師能否給出具體算法?比如上面提供的參數能算出比較接近(比如工作在LLC或者是準諧振  硬開關)的最大工作頻率嗎?

 IGBT的頻率與IGBT的電壓電流關系較大,拖尾電流也會影響。開關頻率可以根據這個時間來大致確定。

如果用到IGBT模塊里面的二極管,還要計算二極管的反向恢復損耗。

另外一個是IGBT的散熱能否導出去,這些都是判斷IGBT工作頻率的因素。

至于IGBT能工作到什么頻率,這個就要參考各家的IGBT的推薦值和自己的經驗值了。

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