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反激電源副邊繞組感量計算

您好:我想請教一下反激電源在確定完原邊電感量了以后如何確定副邊線圈匝數。學習張飛老師的課程發現張飛老師的計算方法是原邊MOS管耐壓為600v,輸入最大電壓380v,原邊線圈最大關斷期間感應電壓不得大于170V,預留50V的安全余量,還要考慮漏感、雜散電感造成的電壓尖峰,在MOS管兩端用RC吸收,然后副邊的線圈匝數就計算出來了,假設副邊12v,n1:n2=v1:v2,此處我的疑惑是副邊線圈匝數應該與副邊電感量有關,V=L*di/dt,初級匝數可以通過計算得出來,而張飛老師的計算方法與電感放電基本運算方法不一致,麻煩幫忙解答一下 謝謝。因為我最近在學習反激電源,想設計一個12V轉16V的電源,輸出2A,頻率初步定為40K,根據別人的經驗,頻率太高,mos管需要加散熱,mos管的耐壓暫時不考慮,我選了一個100V耐壓的,峰值功率狀態為臨界模式,控制ICUC3842,過流保護 謝謝!
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2018-09-25 10:21
最疑惑的就是副邊繞組匝數如何確定
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2018-09-25 10:23
有的答案告訴我副邊繞組匝數隨便設定,只要原邊反射電壓不會導致開關管過壓即可
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2018-09-25 10:23
想尋求一個更有說服力一點的答案 謝謝啦?
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2018-09-26 19:00
大神指點一下迷津吧
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2018-09-28 11:34
@千里知外
最疑惑的就是副邊繞組匝數如何確定

12V的圈比是6~10,16V的圈比就要小一點,如5左右,

 600V的管子,90%的應力,就是MOS管的Vds只能小于等于540V,減去輸入380V,就是160V,還有80V的尖峰,就是80V,這個就是次級折射到初級的電壓,80/16=5,這個5就是16V時的圈比,

如果12V,就是80/12=6.66,這個6.66就是12V時的圈比

80V尖峰,就是初級吸收RCD那一塊,做得好就80V,做不好100V,120V都可能,

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