這顆Cascode型CoreGaN器件采用能華耗盡型工藝技術，耐壓650V，瞬態耐壓800V，導通內阻110mΩ。器件具有極低的門極電荷，使得器件的開關速度快，損耗低，可以大大提高系統能效。

CE65H110DNDI的柵極驅動電壓范圍±20V，大大提高了系統可靠性，兼容傳統硅MOS驅動器，簡化電路設計，采用DFN8*8封裝。

Corenergy GaN FET通過更低的柵極電荷、更快的開關速度和更低的動態導通電阻提供了更好的效率，與傳統的硅（Si）器件相比具有顯著的優勢。

應用：適配器，電子電信和數據通信，伺服電動機，汽車。

一般特性：易于驅動，與標準門驅動器兼容，低傳導和開關損耗，符合RoHS標準

好處：通過快速切換提高效率，功率密度增加。

提供樣品，技術支持。---13416384212賴