現在的電源輸出功率的不斷攀升、體積的日益縮小以及系統成本的持續降低。這三個方向看似相互矛盾，卻共同構成了IC行業最前沿的競爭態勢。為了滿足客戶的不斷升級的需求，行業必須不斷創新，迎接更為嚴苛的技術挑戰。InnoSwitch 系列產品以其高集成度、高效率以及可編程性脫穎而出。它不僅滿足了在靈活性、高功率密度和低成本方面的多重需求。
innoswitch能達到高達95%的轉換效率，主要歸功于其采用的氮化鎵（GaN）功率開關。值得一提的是，IC提供了750V和900V兩種耐壓規格的GaN選項，從而使其能夠適應電網不穩定的環境。
常見的電源設計拓撲結構如下
氮化鎵是一種新技術，設計者可以用它來降低由于晶體管特性的不同而對電源性能產生的影響。在所有晶體管中，隨著RDS(ON)的減小，管芯尺寸會增加，這會導致寄生COSS也隨之增加。在氮化鎵晶體管中，COSS的增加與RDS(ON)的減少之比要低一個數量級。RDS(ON) 是開關接通時的電阻，它造成導通損耗。COSS的功率損耗等于CV2/2。當晶體管導通時，COSS通過RDS(ON)放電，導致導通損耗。導通損耗等于(CV2/2) x f，其中f是開關頻率。用氮化鎵開關替換硅開關會降低RDS(ON)和COSS的值，能夠設計出更高效的電源，或實現在更高頻率下工作，而對效率的影響較小，這有助于縮小變壓器的尺寸。
隨著晶體管變大，RDS(ON)會減小。這沒有問題。然而，隨著晶體管變大，（顯然）面積會更大，因此寄生電容COSS也會增加。這不是好事。最佳的晶體管尺寸應使RDS(ON)和COSS的組合最小化。該點通常位于降低RDS(ON)損耗的曲線與增加COSS損耗的曲線的相交處。
在實際設計中，對于額定功率為≤100W的基于氮化鎵的反激式適配器來說，能夠提供效率、尺寸和低成本的最佳組合的開關頻率可以低于100kHz。對于氮化鎵而言，限制因素不是開關速度。隨著COSS的大幅減小，設計者有了更大的靈活性，可以針對損耗優化開關頻率，達成一個卓越的解決方案。
效率提高3%相當于損耗減少至少35%。氮化鎵設計的能耗更少，產生的熱量減少35%。這一點非常重要，因為初級功率開關通常是傳統電源中最熱的元件。氮化鎵的散熱需求也會下降。電源體積將會更小，重量更輕，也更便攜，并且由于元件的溫度較低，電源的工作溫度將更低，擁有更長的使用壽命。
