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InnoSwitch系列有哪些技術優勢

1. 高效能與高集成度設計

PowiGaN技術‌:采用氮化鎵(GaN)功率開關,顯著降低導通電阻(如750V開關典型值低至180mΩ),支持高頻開關(140kHz),提升效率至95%以上,同時減少散熱需求‌。‌FluxLink™隔離反饋‌:通過磁感耦合技術替代傳統光耦,提升系統響應速度與可靠性,簡化電路設計‌。‌單芯片集成‌:將初級控制器、功率開關、同步整流驅動等集成于緊湊封裝(如24引腳MinSOP),減少外圍元件數量達60%‌。

2. 智能控制與多協議支持

i²C可編程接口‌:支持電壓、電流及保護參數的動態調整,適配USB PD 3.1、UFCS等快充協議,實現140W多端口輸出‌。‌SR-ZVS控制技術‌:結合零電壓開關(ZVS)與同步整流優化,降低開關損耗,提升滿載效率至93%以上‌。

3. 高可靠性及寬范圍應用

BCD工藝技術‌:集成雙極晶體管、CMOS和DMOS,平衡性能與功耗,增強抗干擾能力并降低EMI‌6。‌車規級認證‌:部分型號(如INN3949CQ)通過AEC-Q100認證,支持-40℃至125℃工作溫度,適用于新能源汽車高壓平臺‌。

InnoSwitch系列通過高集成度、智能控制及材料創新,持續推動電源管理技術的邊界。

InnoSwitch系列IC將初級、次級和反饋電路同時集成到一個表面貼裝離線式反激開關IC中。所有InnoSwitch IC都集成了初級MOSFET、初級側控制器、用于同步整流的次級側控制器以及可省去光耦器的創新性的FluxLink技術。

PowiGaN是Power Integrations自行研發的氮化鎵(GaN)技術。在PI高度集成的離線反激式開關IC中,PowiGaN開關替代初級側的傳統硅晶體管,從而降低開關損耗,和硅器件相比,PowiGaN產品可實現體積更小,重量更輕,效率更高的充電器,適配器和敞開式電源。基于PowiGaN的IC在整個負載范圍內的效率高達95%,在封閉式適配器不需散熱片就可實現高達100W輸出功率。

FluxLink 通信技術無需使用任何磁芯材料即可在安規隔離帶之間進行反饋控制。FluxLink可提供非常大的通信帶寬,實現極快的負載瞬態響應。這種專有技術能滿足全球所有的噪聲抗擾性標準。在安全方面,它不僅符合UL和TUV全球隔離標準,而且還符合更為嚴格的CQC 5,000米中國安全標準。

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08-21 19:53

有沒有具體的設計案例來介紹這塊的技術優勢

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08-22 21:28

BCD工藝技術‌是啥工藝,沒見過這個縮寫呢

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08-22 23:38

‌BCD工藝技術‌:集成雙極晶體管、CMOS和DMOS,平衡性能與功耗,增強抗干擾能力并降低EMI‌6。‌車規級認證‌:部分型號(如INN3949CQ)通過AEC-Q100認證,支持-40℃至125℃工作溫度,適用于新能源汽車高壓平臺‌,新能源平臺是什么樣的?

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only one
LV.8
5
08-22 23:52

PowiGaN是Power Integrations自行研發的氮化鎵(GaN)技術。在PI高度集成的離線反激式開關IC中,PowiGaN開關替代初級側的傳統硅晶體管,傳統的是什么樣子?

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htwdb
LV.8
6
08-23 10:18

當兩個或多個端口同時接入支持不同快充協議(如一個PD 3.1,一個UFCS)的設備時,i²C控制器如何協調和分配總共140W的功率?

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08-23 10:29

低通道高傳輸特性應該是這個設計的主要優勢

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沈夜
LV.8
8
08-25 05:04

如何提高電源管理系統的集成度和智能化程度?

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08-25 15:28

InnoSwitch系列IC將初級側控制器、高壓開關、次級側控制器、同步整流驅動和FluxLink反饋集成于單芯片,簡化設計。

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08-28 22:20

InnoSwitch系列已經非常成熟了

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