隨著智能手機、平板電腦等移動設備的快速普及,以及移動網絡的高速發展,人們對電子設備的需求和依賴程度越來越高。愈加強大的功能以及不斷增大的屏幕使得電子設備的耗電量加快，因此人們對于電池的充電效率及充電時間也有了更高的要求，推動著快充技術的發展。  

      快速充電已經成為當下智能手機發展的新趨勢，傳統的USB充電器也將會被新一代的快速充電器所取代，另外，快充的興起也帶動了相關MOSFET需求的增長。

在USB PD協議的快充電源方案中，用于整流同步的MOS管，可以保證在快充電源提高電壓來達到高電流高功率充電時的用電安全性。而低電壓高電流充電的“閃充”對同步整流的MOS管要求更為嚴苛。       惠海半導體推出的一款高性能低內阻SGT工藝MOS管HG5511D可應用于PD快充充電器同步整流位置，內阻僅11mΩ，可以解決充電器功耗大發熱的問題；超低的Ciss（550pF）能夠較大限度地降低開關損耗，提高轉換效率；同時采用了小尺寸的DFN封裝，能夠節約占板面積，對于越來越小的充電器體積來說，是一個很好的選擇。HG5511D在各大快充電源終端廠商 18W 、27W 、33W等項目中均有廣泛使用，并獲得青睞。該產品可以作為電源驅動（DC-DC轉換）、同步整流、開關線路應用等，適用于小家電、消費電子等場景使用。

HG5511D參數特點【HG5511D】SGT工藝NMOS，高頻率大電流低內阻、小體積、低結電容，快充專用MOS管

惠海半導體其他MOS管封裝及應用*常用封裝：DFN3333、SOT89-3、SOT23-3、SOP-8、TO-252、TO-220等

*常用型號：3400、5N10、10N10、17N10、25N10、17N06、30N06、50N06、70N06、20N03、30N03、50N03、70N03等

*應用領域：小家電（加濕器、霧化器、香薰機、美容儀、榨汁機、暖奶器、咖啡機等）、LED照明（舞臺燈、車燈、燈帶調光等）、快速充電器（手機、筆記本、平板、VR等）、移動電源、無線充、3C數碼、安防設備、測量儀器、可穿戴設備、網絡通信、物聯網IoT、新能源、醫療設備、智能家居、電腦主板顯卡、BMS 、POE、GPS、藍牙耳機、藍牙音箱、電弧打火機、電子煙、車載電子、汽車音響、液晶顯示器、太陽能電源、逆變系統、無刷伺服電機等產品。