如題,DCM、CCM均可。
以輸入全電壓,輸出電壓12V-20v,輸出電流3A這個參數為例。或者也可以討論一下在什么輸出參數下才能做到。
如題,DCM、CCM均可。
以輸入全電壓,輸出電壓12V-20v,輸出電流3A這個參數為例。或者也可以討論一下在什么輸出參數下才能做到。
這96+定得很高,實現有點困難。我先列出反激電源主要損耗點(從大到小排列)簡要提出一些對策,供大家討論:
1:變壓器損耗 由于反激電源特殊性,變壓器損耗比正激大
2.初級開關管損耗
對策:a采用臨界工作模式(與RCC工作模式一樣)并且把最小占空比設計為0.5,可實現初級ZVZCS開通,ZVS關閉;次級整流管zcs。
b選擇低RdsMOS管,例如COOLMOSFET,降低導通損耗
3.次級整流管損耗
4.吸收電路損耗 不可采用RCD吸收電路 ,無源無損吸收電路是首選
5.控制電路損耗 選用BiCMOS工藝控制IC,仔細設計外圍電路
效率達到90+目前能夠實現,96+還有很長的路要走,降低變壓器損耗需采用優質磁芯和復雜的繞線工藝,采用有源箝位正激可能是個更好的選擇