正激變換器通常使用無氣隙的磁芯，電感值較高，初次級繞組峰值電流較小，因而銅損較小，開關管峰值電流較低，開關損耗較小，其高可靠高穩定性使得其在很多領域和苛刻環境得到應用.
下面舉例給大家分享下對正激變換器的設計方法：
規格：
輸入電壓Vin=400V（一般在輸入端會有CCM APFC將輸入電壓升壓在穩定的DC400V左右）
輸出電壓Vout=12V
輸出功率Pout=1200W
效率η=85%
開關頻率Fs=68KHz
最大占空比Dmax=0.35
第一， 選擇磁芯的材質
選擇高μ低損，高Bs材質，一般常采用TDK PC40或同等材，其相關參數如下：
因為正激電路的磁芯單向磁化，要讓磁芯不飽和，磁芯中的磁通密度最大變化量需滿足ΔB
根據公式AP=Aw*Ae=(Ps*104)/(2ΔB*Fs*J*Ku)
其中:
Aw為磁芯的銅窗口截面積（cm2），Ae為磁芯的有效截面積（cm2），Ps為變壓器的視在功率（W），J為電流密度（A），Ku為銅窗口占用系數
對正激變換器，視在功率Ps=Pout/η+Pout
電流密度J根據不同的散熱方式取值不同，一般采用300~600A/cm2,此處考慮到趨膚效應采用多股紗包線，取600A/cm2
銅窗口占用系數Ku取0.2
ΔB=0.20T，J=600A/cm2,Ku=0.2
代入公式得AP=[(1200/0.85+1200)*104]/(2*0.201*68*103*600*0.2)=7.962cm4
查磁芯規格書，選用磁芯ETD49,其相關參數如下：
ETD49的AP=Aw*Ae=375*213=79875mm4=7.9875cm4<7.962cm4,即,OK。
1. 根據公式N=Np/Ns=Vin/Vout=(Vin*Dmax)/(Vo+Vf)
其中Vf為輸出二極管正向壓降，取0.8V
得匝比N=（400*0.35）/(12+0.8)=10.9375,
取匝比N=11驗算最大占空比Dmax，
最大占空比Dmax=N(Vout+Vf)/Vin=11*(12+0.8)/400=0.352
2. 根據公式Np=Vin*Ton/(ΔB*Ae)
導通時間Ton=Dmax*Ts,周期Ts=1/Fs*106
得初級匝數NP=[Vin*Dmax*(1/Fs*106)]/(ΔB*Ae)={400*0.352*[1/(68*103)*106]}/(0.201*213)=48.36Ts,取49Ts
3. 次級匝數Ns=Np/N=49/11=4.45Ts
4. 取次級匝數Ns=5Ts驗算初級匝數Np,
初級匝數Np=Ns*N=5*11=55Ts
考慮到輸入電壓較高，采用雙管正激比采用單管正激可以大幅減小MOS的電壓應力，無需消磁繞組。
7. 再通過初級匝數Np來驗算最大磁通變化量ΔB，
最大磁通變化量ΔB=（Vin*Dmax*Ts）/(Np*Ae)={400*0.352*[1/(68*103)*106]}/(55*213)=0.1767T
根據ΔB+Br
8. 根據L=N2*Al得，
初級電感量最小值Lmin=Np2*[AL*(1-0.25)]=552*[4440*(1-0.25)]/106=10.0mH
1. 輸入電流Ip=Pout/(Vin*Dmax*η)=1200/(400*0.352*0.85)=10.0A
初級線圈電流有效值Ip_rms=Ip*SQRT(Dmax)=10.0*SQRT(0.352)=5.9A
則，初級線圈截面積Swp=Ip_rms/J=5.9/600=0.0098cm2=0.98mm2
多股紗包線單根直徑為0.1mm，其單根面積為Sw=3.14*(0.1/2）2=0.00785mm2
得,初級所需紗包線股數Nwp=Swp/Sw=0.98/0.00785=124.8PCS,約125PCS。
即，初級線圈采用125根單根直徑0.1mm的紗包線。
2. 次級線圈電流有效值Is_rms=Iout*SQRT(Dmax)=100*SQRT(0.352)=59.3A
次級線圈截面積Sws=Is_rms/J=59.3/600=0.0988cm2=9.88mm2
次級所需紗包線股數Nws=Sws/Sw=9.88/0.00785=1258.6PCS,約1260PCS。
即，次級線圈采用1260根單根直徑0.1mm的紗包線。
通常紗包線的電流密度可取范圍較大，一般為400~1200A/CM2,結合常用規格，取：
初級線圈采用120根單根直徑0.1mm的紗包線繞55Ts；
次級線圈采用1200根單根直徑0.1mm的紗包線繞5Ts。
