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前段時間,有小伙伴多次提到晶體匹配電容的相關問題。看來大家對這方面疑惑比較大,今天就和大家聊聊這塊內容。
1、一道面試題
照例,先拋出來一道面試題:“晶體在使用過程中需要注意哪些點?”。
這個問題是個開放性問題,只說了晶體的使用過程,但沒有特別明確是哪個環節,那可以切入的點就比較多,非常考驗被面試者的硬件基本功。
2、晶體與晶振區別
要回答上面的問題,首先得搞清楚面試官問的對象是啥。如下面截圖,小伙伴問:為什么晶振的兩個引腳波形會不一樣?并放了兩個波形。這說明這位小伙伴對晶體晶振分不清楚。
面試官問的是晶體,如果你對晶振一通解釋,結果可想而知:回答的越多,暴露的弱點越多。
其實,晶體與晶振的區別非常明顯。
①晶體,一般指無源晶體,英文:Crystal,需要接兩顆匹配電容才可起振,無需額外供電源;晶體的另外兩個引腳是GND;
②晶振,一般指有源晶振,英文:Oscillctor,直接供電就會有時鐘信號輸出,無需專門的匹配電容。晶振只有一個輸出端口OUT,另外三個引腳一般是VDD/OE/GND。
如上圖所示,晶體和晶振的引腳定義與分布也有非常明顯的區別。所以,上面小伙伴講晶振的兩個引腳輸出波形不一樣,是不對的。這個應該是無源晶體。
3、晶體的工作原理
上一小節明確了晶體與晶振的區別。現在說說晶體的工作原理。
你可能以為我要講皮爾斯電路、反饋、閉環增益、限流電阻等等這些百度上一搜一堆的知識點。其實,這些內容網上都有標準的解釋,我再轉述一遍沒什么意思,也不符合我的調性。再者,純理論的東西,我不確定對屏幕前的你是否有實際幫助。
所以,我覺得把這“晶體的工作原理”當做課后作業,留給小伙伴自行檢索學習。我們來聊聊更實用的東西。
4、晶體的關鍵參數
要了解晶體實用過程中的注意事項,肯定是繞不過晶體的關鍵參數。不曉得屏幕前面的你,是否真正研讀過晶體的Datasheet。下面是TXC某晶體的規格書截圖。
來來來,咱們一起捋一捋。
①Frequency Range:頻率范圍,就是晶體的工作頻率。
②Frequency Tolerance(at 25℃):環溫25度時的頻率容差,其實就是頻偏范圍,單位一般是ppm;
③Frequency Stability Over Temperature:頻率溫度穩定性,指的是晶振的輸出頻率隨溫度變化的偏移量;
④Operating Temperature Range:工作溫度范圍;
⑤Shunt Capacitance(C0):靜態電容;
⑥Drive Level:激勵功率;
⑦Load Capacitance:負載電容;
⑧Aging(at 25℃):老化率,隨著使用年限增加,頻率偏移量也隨之增加;
⑨Storage Temperature Range:存儲溫度范圍;
⑩ESR:等效電阻,也是諧振頻率處的電阻;
上面規格書給出了該晶體的10個參數,不曉得你對這10個參數有沒有疑問。
我先拋磚引玉提幾個問題:
Q1:為什么上面規格書給的是頻率范圍,晶體工作頻率不應該是具體的頻率么?
A1:因為這是一個系列的規格書簡介,所以頻率給的是整個系列的工作范圍。如涉及具體某一顆晶體,這里第一個參數應該是Nominal Frequency;
Q2:Frequency Tolerance 頻偏是如何計算出來的?
A2:好問題!頻偏實際是一個比值,是相對標稱頻率的偏差量與標稱頻率的比值,單位ppm;
Q3:Load Capacitance負載電容CL干什么使的?
A3:負載電容是并聯在晶體引腳兩端的外部電路的等效電容總和。這個負載電容用于計算晶體需要端接的匹配電容。只有匹配電容合適,才能保證晶體的振蕩頻率在標稱頻率附近的誤差范圍內。如果實際的負載電容CL不符合晶體要求,那很可能會導致頻偏嚴重或者不起振。
……
這里面隱藏的知識點還有很多。你肯定還有其他問題,歡迎在留言區寫出你的疑問。
怎么樣?一個簡短的問題,給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里,能否晉升到陸地神仙境,一劍開天門,就看你的造化了!
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