中國上海，2025年9月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關電源等應用，適用于數據中心和通信基站使用的工業設備。產品于今日開始正式出貨。

100V U-MOS11-H系列優化了器件結構，進一步改善了U-MOSX-H系列的漏源導通電阻（RDS(ON)）、總柵極電荷（Qg）以及這兩者（RDS(ON)×Qg）之間的平衡，從而降低了導通及開關損耗。

與U-MOSX-H系列產品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低了約8%，Qg降低了37%，RDS(ON)×Qg改善了42%。此外，它還可通過應用壽命控制技術[2]實現高速體二極管性能，從而降低反向恢復電荷（Qrr）并抑制尖峰電壓。與TPH3R10AQM相比新產品的Qrr改善約38%，RDS(ON)×Qrr改善約43%。這些業界領先[3]的RDS(ON)×Qg和RDS(ON)×Qrr平衡特性[4]可最大限度降低功耗，從而提高電源系統的效率和功率密度。新產品還采用SOP Advance (N)封裝，具有與行業標準高度兼容的貼裝特性。

東芝現在還提供以下兩款電路設計支持工具：可在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型，以及可精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。

未來東芝將繼續擴大其低損耗MOSFET的產品線，為實現更高效的電源以及降低設備功耗做出貢獻。

應用：

-數據中心和通信基站等工業設備的電源

-開關電源（高效率DC-DC轉換器等）

特性：

-低漏源導通電阻：RDS(ON)＝7mΩ（最大值）（VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）

-低總柵極電荷：Qg＝52nC（典型值）（VDD＝50V、VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）

-低反向恢復電荷：Qrr＝55nC（典型值）（IDR＝50A、VGS＝0V、–dIDR/dt＝100A/μs、Ta＝25°C）

主要規格：

（除非另有說明，Ta＝25°C）

注：

[1] 截至2025年9月，東芝的低壓功率MOSFET工藝。東芝調查。

[2] 壽命控制技術：通過使用離子束在半導體中引入缺陷，故意縮短載流子壽命，可提高開關速度，進而可提高二極管的恢復速度并降低噪聲。

[3] 截至2025年9月，與其他適用于工業級100V N溝道功率MOSFET相比。東芝調查。

[4] RDS(ON)×Qg＝120mΩ·nC（典型值），RDS(ON)×Qrr＝127mΩ·nC（典型值）

如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址：

TPH2R70AR5

//toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH2R70AR5.html

如需了解相關東芝MOSFET的更多信息，請訪問以下網址：

MOSFET

//toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

如需了解相關高精度SPICE模型（G2模型）的更多信息，請訪問以下網址：

G2模型

//toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately.html

如需了解相關新產品在線分銷商網站的供貨情況，請訪問以下網址：

TPH2R70AR5

//toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH2R70AR5.html

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