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反激電源GaN器件設計注意事項

Inno 反激控制器內置了功率器件,不需要外部選型和布局布線了,控制也得到了優化。

VOR是指次級導通時初級繞組上的反射輸出電壓。VBUS是連接變壓器初級繞組一端的直流電壓。除VBUS+VOR外,漏極在關斷時還會出現較大的電壓尖峰,這是由存儲在初級繞組漏感中的能量引起的。為防止漏極電壓超過額定最大連續漏極電壓,初級繞組兩端需要一個鉗位電路,鉗位二極管的正向恢復將在初級開關關斷的一瞬間增加一個尖峰。

下面是使用750V PowiGaN開關時264VAC輸入電壓下的峰值漏極電壓,初級開關的峰值漏極電壓為VBUS、VOR與VCLM的總和。仍能提供150V的安全裕量。

產品設計時應注意考慮以下因素:

1)較高的VOR允許在最低電壓VMIN時獲得更高的輸出功率,這會降低輸入電容值和提高給定PowiGaN器件的輸出功率能力。

2)較高的VOR還可以降低輸出二極管和SR FET的電壓應力。

3)較高的VOR會增加漏感,從而降低電源效率。

4)較高的VOR會增大次級側的峰值電流及RMS電流,從而增加次級側的銅損和二極管損耗。

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xxbw6868
LV.10
2
2024-08-23 09:30

GaN晶體管硅晶體管電源的效率更高、溫度更低、尺寸更小,實現大功率電源的無散熱片設計。

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2024-08-23 14:20

怎么樣對反激電源做信號完整性檢查

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2024-08-23 14:48

反激電源對信號穩定性有哪些不利影響

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2024-08-23 15:15

怎么樣有效減少反激電源的信號耦合

0
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2024-08-23 16:41

怎么樣保證信號多路信號的傳輸一致性

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cwm4610
LV.6
7
2024-08-23 18:34

反激控制器,不需要內置電源,的卻也是很簡單方便的設計,但是需要注意PCB走線。

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2024-08-23 21:36

VOR是指次級導通時初級繞組上的反射輸出電壓。VBUS是連接變壓器初級繞組一端的直流電壓,這倆電壓神馬區別

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htwdb
LV.8
9
2024-08-23 22:17

目前反激電源在設計中通過GaN器件可以完成用來取代硅 (Si) 功率開關,這樣可以提升電源效率和減少對散熱器的需求,從而提升功率密度。

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only one
LV.8
10
2024-08-23 23:00

較高的VOR會增大次級側的峰值電流及RMS電流,從而增加次級側的銅損和二極管損耗,那就是不能增大電流才行

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地瓜patch
LV.8
11
2024-08-24 22:32

VOR是指次級導通時初級繞組上的反射輸出電壓

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tanb006
LV.10
12
2024-08-24 22:37

芯片布局成了大問題,幾乎只能在變壓器的下方。。。。如果在側面,會增加額外的PCB面積,以及更大的環路。。。。。

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dy-mb2U9pBf
LV.8
13
2024-08-25 06:38

GaN制成的Inno 反激控制器內置了功率器件,不需要外部選型和布局布線。

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XHH9062
LV.9
14
2024-08-26 00:20

感謝分享,學習一下

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dy-XU5vrphW
LV.8
15
2024-08-26 08:27

反激電源設計有什么注意事項么

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dy-nmLUWFNr
LV.8
16
2024-08-26 08:57

怎么樣有效計算開關電源的系統損耗

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2024-08-26 22:51

較高的VOR會增加漏感,從而降低電源效率

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only one
LV.8
18
2024-08-26 22:59

VOR是指次級導通時初級繞組上的反射輸出電壓。VBUS是連接變壓器初級繞組一端的直流電壓。這種直流是穩定的嗎

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2024-08-26 23:21

VOR是指次級導通時初級繞組上的反射輸出電壓。VBUS是連接變壓器初級繞組一端的直流電壓。除VBUS+VOR外,漏極在關斷時還會出現較大的電壓尖峰,這是由存儲在初級繞組漏感中的能量引起的

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dy-TMelSvc9
LV.8
20
2024-08-27 09:11

反激電源設計需要考慮信號完整性的各項條件么

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dy-StTIVH1p
LV.8
21
2024-08-27 10:24

反激電源設計需要考慮信號完整性的影響么

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沈夜
LV.8
22
2024-08-28 01:04

如何優化Inno反激控制器的漏極電壓尖峰問題?

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tanb006
LV.10
23
2024-09-25 23:40

只要你不在乎反射電壓,那么它就沒啥問題。只要有夠高耐壓的零件就行。

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方笑塵MK
LV.8
24
08-11 08:53

反激電源用 GaN 器件,需要注意高頻 QR 反激,需 MinE-CAP 或 PFC 前端,防止 120 Hz 紋波觸發 OCP

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xxbw6868
LV.10
25
09-15 08:51

柵極驅動器回路的如果尺寸很小,可以進一步減小了EMI輻射,增強了抗干擾能力,尤其是對漏極上的dv/dt干擾。

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