LinkSwitch嚴格的限流點容差范圍以及T1中的變壓器繞制技術,使得初級繞組實現了無箝位電路的設計。

無箝位設計僅適用于輸出功率小于或等于2.5 W，反射電壓VoR ≤90 V的情況下使用。對于輸出功率小于或等于2W的設計，初級繞組應采用雙層繞制的結構以確保初級匝間電容在25pF到50pF的足夠大范圍內。

無箝位設計僅適用于輸出功率小于或等于2.5 W，反射電壓VoR ≤90 V的情況下使用。對于輸出功率小于或等于2W的設計，2W怎么帶來的

有具體電路說明嗎？

無鉗位設計在沒有任何功率耗散元件作為外部電壓鉗位的情況下，長時間的漏感振蕩可能導致EMI升高。

漏感振蕩需要規避

無箱位設計完全依賴漏極節點電容來控制漏電感引起的峰值漏極-源極電壓。

無鉗位設計的主要優缺點是什么

“同時采用專利的變壓器結構技術”，要這樣搞，那我買它芯片，還得為每一個變壓器付專利費咯？

無鉗位，電壓不穩咋解決

精確的限流點公差（±5%）可有效控制漏感能量，專利的堆疊式繞組技術通過增加層間電容（建議采用0.1mm厚絕緣層）可將繞組分布電容提升至40-60pF范圍，這對吸收漏感尖峰至關重要。

當輸出功率接近2.5W上限時，建議將工作頻率控制在60kHz以下，并采用TDK PC40材質磁芯以降低高頻渦流損耗。同時需注意當VoR>80V時，建議增加RCD吸收電路作為冗余保護。

當采用雙層繞組時，分布電容C=εrε0(N-1)*S/d，其中N=2層，S=繞組面積，d=層間距。典型參數下（S=50mm²，d=0.1mm），電容值約35pF，可吸收約0.12mJ漏感能量，對應2W輸出時的安全裕量。建議使用Litz線繞制可提升電容值15%-20%。

不過仍要注意與具備外部電壓箱位的設計相比，在沒有任何功率耗散元件作為外部電壓箱位的情況下，較長時間的漏感振蕩會導致EMI升高。那怎么辦？

使用無鉗位設計有一些前提條件和注意事項要關注

無鉗位設計有利于降低系統傳輸的損耗么

無鉗位設計的信號傳輸需要遵循哪些變化規律

這個鉗位電路的信號傳輸曲線是怎么樣發生變化

還是有局限性。如果裝上RCD，把R設計到足夠大電阻，對于輕載是沒有問題的。如果重載，可以開啟并聯的電阻以降低尖峰。實現動態RCD吸收

LinkSwitch的無鉗位設計適用于何種功率輸出范圍？

使用多點接地或單點接地，避免地線環路，減少感應電流‌。

電阻必須放置在遠離IC或靠近輸入端的位置，以防止開關噪聲耦合。