下圖是PI的一款反激電源設計，紅圈部分是RCD箝位電路(也稱為關斷緩沖電路)。此部分電路主要用于限制MOS關斷時高頻變壓器漏感的能量引起的尖峰電壓和次級線圈反射電壓的疊加，減小開關應力，提高系統可靠性，疊加的電壓產生在M0S管由飽和轉向關斷的過程中，漏感中的能量通過D向C充電，C上的電壓可能沖到反電動勢與漏感電壓的疊加值，即:Vrest+ AVpp

參數如何選取呢，大小影響啥？

根據經驗判斷電容選的越大，電壓尖峰越小，也就是RCD吸收的漏感能量越大。R應該取值較小才好，R越小，電容放電越快，下個周期時就能吸收更多的能量。如果是C選大，R選小，吸收能力較強，且震蕩的周期變長，也就是頻率降低，EMI較好，但損耗也會較大，故要折中選取。