這段時間看了本書《手把手教你學高速電路信號仿真》：
這本書包含以下幾個部分：
- 仿真常用的模型（IBIS模型&S參數模型）
- 傳輸線基本理論與信號完整性分析
- 信道的抖動與均衡
- 通道的仿真
- PCB的材料研究
這本書里關于IBIS模型的基礎知識，講的還是很全面的，適合了解和學習一下。
IBIS（Input/Output Buffer Information Specification）模型是一種用于描述數字集成電路輸入/輸出（I/O）緩沖器電氣特性的行為級模型。
常見IBIS 結構分為以下4個部分：
基本信息
作用：提供模型的基礎描述和元數據。包含內容：
- 廠商、部件號、版本號等標識信息
- 文件創建日期、備注等輔助信息
- 引腳與模型名稱的映射關系（Pin部分）
- 支持的電路類型（如CMOS、LVDS等）
模型選擇器
作用：定義不同工作模式下的行為模型（如輸入、輸出、三態等）。關鍵部分：
- [Model] 部分：為每個引腳或緩沖器類型定義電氣行為。
- 常見模型類型：Input：純輸入緩沖器Output：驅動型輸出緩沖器I/O：雙向緩沖器Open_drain：開漏輸出Terminator：終端電阻模型
電氣特性
作用：描述緩沖器的靜態和動態電氣參數。核心數據：
- [Pull-up] / [Pull-down]：上拉/下拉IV曲線（電壓-電流關系）
- [Ramp]：信號跳變斜率（dV/dt，反映開關速度）
- [V/I] 或 [V/T] 曲線
- 驅動器的輸出阻抗特性（如[Voltage Range]和[GND Clamp]）
- 動態特性（如上升/下降時間）
- [C_comp]：芯片封裝寄生電容
封裝與寄生參數
作用：定義封裝引起的寄生效應。關鍵參數：
- [Package]：引腳寄生電阻（R_pkg）、電感（L_pkg）、電容（C_pkg）
- [Pin] 部分：指定每個引腳對應的模型和封裝參數，可能包含溫度/工藝角數據（如[Temperature Range]）
本書關于IBIS模型部分，重點關注了電氣特性與寄生參數，也將其劃分為4個部分：
1、推挽式（Push-Pull）電路，兩個MOS FET組成，可產生高電平（上管導通下管截止），低電平（上管截止下管導通）、高阻態（上下管都截止）3種工作狀態。
2、鉗位電路，上二極管鉗位電壓VCC，下二極管鉗位電壓Gnd 。
對于推挽電路與二極管的電氣特性，可以用V/I曲線來表示：
外部電源從-Vcc+Vcc變化，電流是從MOS FET流向外部電源，即電流值為負值；
外部電源從+Vcc+2Vcc變化，電流開始從外部電源流向MOS FET，即電流值為正值。
IBIS規范定義電流流進緩沖器的方向為正，下圖為實際IBIS 模型Pull Up的電流波形，和上述的理論推導不符合。
這是因為測試點電壓和IBIS文件的電壓數據是不一樣的，寫進IBIS文件的電壓為Vtable，是指上管的電壓降，Pull Up狀態下，就是外部電源和測試點電壓的差值。
Pull Up曲線的獲取是測試點各個電壓值對應的電流，和IBIS文件的電壓對應的電流曲線對應關系，如下圖：
Pull Down 和 Pull Up是不同的，Pull Down 測試點電壓和IBIS文件的電壓是一樣的，電流的波形也是一樣的，不存在所謂的對應關系。
3、模型輸入輸出電容C_Comp，影響狀態轉換時間
對于推挽電路在電平動態翻轉的特性，用V/t曲線來表示。這個過程可以分為上管和下管兩個部分：
上管部分
上管打開，電容的兩端的電壓不能突變，上管導通，給C_Comp充電，直至穩定，這個過程產生上升沿。
上管關閉，電容的兩端的電壓不能突變，上管截止， C_Comp反向充電，直至穩定，這個過程產生下降沿。
下管部分
下管打開，C_Comp給導通的下管放電，直至穩定，這個過程產生下降沿。
下管關閉，50ohm 導通電壓給C_Comp充電，直至穩定，這時候產生上升沿。
4、封裝參數，由R（寄生電阻）、L（寄生電感）、C（寄生電容）參數組成，影響輸出波形的上升沿和下降沿的速率。
關于封裝參數，有兩種選擇，一種是默認的參數：
還有一種是對應引腳的特定參數：
至于IBIS模型在仿真中的應用，本書只是列舉了Hspice的應用，至于其他的沒有過多展開，但是系統了解其基本結構還是很有必要。