LAYOUT 是 EMI 設計中非常重要的一項，很大程度上決定了EMI的成功與否。所以在PCB繪制時需要對電路中重點節點預留調試點，并且縮短功率回路的環路面積
內容大綱
- PFC電路EMI規劃
- AHB電路EMI規劃
- EMI調試點
- PCB散熱處理
/***PFC電路EMI規劃***/
- 上圖中紅色線條為PFC主功率回路，其中G1部分為PFC功率地，功率地走線需要越粗越好且環路面積越小越好；
- G2部分為PFC芯片信號地，芯片各引腳的地均需統一接到VCC供電地，然后統一連接到PFC輸出大電解電容的負極；
- PFC電感磁芯需要包銅箔并接到主電容地，需要單獨接到主電容的負極；
- PFC MOS驅動信號環路要盡可能下，且驅動電阻需要靠近MOS的柵極處，采樣GaN,驅動的地需要連接SK腳并回到芯片地，避免與功率管的Source直連，防止干擾。
- PFC 漏極為高壓動點，鋪銅走線需要短且面積小。控制芯片的信號線需要遠離PFC漏極，避免信號耦合；
- PFC電路中GND走線，盡可能包圍PFC漏極動點，改善EMI；
- 如果PFC二極管離主電容距離較遠，需要在主電容前添加一顆高壓電容做旁路使用
/***AHB電路EMI規劃***/
- 圖中紅線路徑為上下管功率回路，環路面積越小越好；
- 橋臂中點HB為高壓動點，鋪銅面積不能過大，需要遠離VS和FB等低壓信號走線；
- 高壓處LAYOUT時需要注意爬電距離
- CS 是負壓采樣，需要用最短走線(遠離動點)連接到采樣電阻端，避免 ESL 影響采樣；
- FB，VCC，VCCH 電容緊靠芯片放置，當 VCC 電解電容遠離芯片時，必須要在緊靠芯片 VCC 引腳放置大于 100nF 的貼片電容；
- FB 走線遠離高壓動點，FB 環路盡量小；
- VS 下偏電阻緊靠芯片，VS 采樣走線遠離動點，盡量減小環路；
- 芯片信號地G6，G5 單點接地到 G4，G4 最短長度接到 G3 地；G3 是功率地；
/***EMI調試點***/
- 磁珠：在設計時，在 PFC電感輸出端，AHB上橋臂漏極 添加貼片磁珠。方便后期調試，建議多顆磁珠并聯，減少損耗，磁珠對輻射有良好的效果；使用風華 CBM 大電流磁珠系列，更低的 RDC；
- 在PFC主電容的前后預留高壓貼片電容位置，環路要小。
- 預留多個 Y 電容設計，方便后期靈活調試，不同容量的 Y 電容，對改善傳導/輻射作 用很大。具體的接法有
- 1）L-輸出GND，輸出GND-PFC主電容GND，PFC主電容GND-輸出正；
- 2）N-輸出GND，輸出GND-PFC主電容+，PFC主電容+-輸出正；
- 共模電感的選擇，推薦預留兩顆共模電感位置，采用環形并繞電感，輻射濾波效果更 好；如果傳導余量不夠，可以選擇第二個用大感量共模電感，如 SQ 系列。
/***散熱處理***/
- 發熱元器件分開擺放，避免各個熱源互相傳導，比如整流橋/初級 IC/變壓器，IC 盡量 不要放到變壓器下面包括變壓器背面下方，變壓器是面積最大的熱源，會導致熱量傳導到 IC；
- IC 的 GND 引腳需要大面積鋪銅，由于 GND 是靜點，大面積鋪銅不會對 EMI 產生不利影 響，芯片正面的 GND 大面積銅皮尤為重要，芯片的背面盡可能鋪銅，且通過打多個過 孔傳導熱量；
- AHB IC的散熱，主要依靠 GND，HB 和 VIN；但是 HB 是開關動點，不宜大面積鋪銅，會對 EMI 有不利影響，而且大面積動點會干擾到低壓信號；鋪銅散熱：第一優先芯片 GND 大面積鋪銅，第二優先 VIN 大面積鋪銅，最后 HB；
- 外加散熱墊/散熱膠，并用散熱片包裹輔助散熱，銅皮需要接地且短路，對 EMI 有 好的改善；