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今天繼續分享有關于RAM的內容。

1、怎么理解隨機存儲器的隨機？

小時候用過磁帶機的都知道，切磁帶上的歌曲，只能通過快進和倒退的方式。無法直接讓磁帶機直接播放喜歡的歌曲，這種只能按照順序讀取磁帶上信息的方式，就是順序存取器。

RAM是隨機存取器，可以直接訪問RAM中任意一個位置，不需要像磁帶一樣，需要從前往后（快進），或者從后往前（倒退）。因為可以隨機去訪問內存中任意一個位置存儲方式，這就是RAM（Random Access Memory）名字含義。

2、DRAM和SRAM的區別

下表總結了SRAM和DRAM最基本的優劣勢。

SRAM最小單元需要6個晶體管，尺寸大，但是因為不需要刷新，所以功耗低，響應速度非常快。

DRAM最小單元只需要1個電容和1個晶體管，尺寸相比SRAM要小，但是電容漏電，需要定期刷新，導致DRAM的速率慢，刷新過程耗電，導致功耗高。

雖然SRAM在速率和功耗上相比DRAM有極大的優勢，但成本極高，因此，SRAM存儲器想要商業化，就必須在價格和容量上進行取舍。

SRAM通常直接設計在芯片內部，CPU內部的高速緩存Cache。只用較小的容量來滿足CPU對要求極高速率的數據存儲。

DRAM可以用相對較低的成本實現較大的存儲容量，這種價格和容量的平衡使DRAM在個人PC里面（內存條），被廣泛使用。

3、DRAM讀寫過程

在前面的文章中提到DRAM內部是最小單元是一個晶體管和一個電容。這個電容容量小于30fF。

為了精準檢測到這么微小電荷變化，在DRAM內部有傳感放大器連接在bit line上，如下圖所示。

讀取數據時，首先將bit line的電壓提升到1/2 VDD，這個電壓值是傳感放大器的閾值，為了使傳感放大器能更好的檢測到電荷的變化。如果電容中存儲了電荷或者沒有電荷，打開晶體管后，電荷就會給bit line進行充電或放電，傳感放大器根據bit line微弱電壓變化，來判斷高低電平，從而輸出1或0。

在寫入數據和預充電時，將BIT line電壓充電到比VDD高一點，然后打開wordline，bit line上的電荷就能對電容充電。

DRAM數據讀取是“破壞性的，其原因就是打開wordline開關，電荷就會被放掉。改變了原來存儲的信息。理論上在讀取一個寄存器信息后，寄存器的信息如果沒有主動更新，讀完后是不會改變。但DRAM每次讀取完，狀態立馬就變了，所以被稱為讀取具有“破壞性”。

在前文中提到過，數據被取到每個bank的緩沖行后，要通過預充電的過程，將數據寫回到原來的存儲單元，這個過程就是避免數據被破壞，讀了什么東西，然后全部寫回去。這也是為什么存在預充電的操作。